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抑制噪音墳敏電阻器

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b H—一
稽與瓷通訊 一九九0年 第二期
抑制噪音壓敏電阻器
通用的噪音抑制元件的應用蛔表1所示 除使用的電容器、電阻、電感等元件外，
近年來大多效采用壓敏電阻。圈l示出了其應用電路捌。
表l和圖l所示的氧犯鋅壓鍛電阻主要婀于對外來浪涌的吸收，而高容量壓敏電阻
(SrTi03系壓敏電阻)列用于吸收sw噪音和脈沖噪音．這是由于不同壓敏電阻的村料特性
所形成的特性。
諄電昭甲備種抑和嗓音元件的應用
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磁與瓷通訊 一九九0年 第二期
表I 對應于噪音發(fā)生源所使用的電子元件
＼ 噪意發(fā)生糧 電源電路 信號電路 接口外部
＼
、 端 SW 外 數(shù) 脈 數(shù) ￡CD 外
＼ ＼ 子 噪 來 字 沖 字 靜 表
＼ ＼ 蟥 波 噪 嘬 噪 電 穗
日
＼ 目 涌 珥 音 音 放電 涌
電觸電容器 留 ★ ☆
中高壓電容囂 ★ ★ ★
半導體電容船 工r ， ★ f 貿(mào) ☆
商容量壓敏電隧 ★ ☆ ☆ ★ ☆
氯化缽壓戢電睚 奇 窗 ★
電器器強 ☆ ☆ ★
嗓音濾波綴 音 ★ ’
校正線圈 ， ★ ★
鏟氧棒璉秘磁芯 ★ ’
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磁與瓷通訊 一尢尢0年 第二期
一
． 氯化缽壓敏電阻
目前舶氧化鋅壓敏電阻是在zn0中添加Bi 203或稀土氧化物后 再添加幾種雜蓐一在
11 00—1 4oo'C溫度下燒鋼而成 氧化鋅是氧化勘中電阻率比較小的一種材料(除氧化錫、
氧化鍍、鈦酸鎊之外)。1ti其在晶界如形成高阻甚一從而在屯滴一電壓特性方面具有較
大的非線性系數(shù)(d)， 目前這種Zn0-1~．敏電阻已被廣泛應用于各個 域， 其主要特性如
下t
1．非線性從低電流區(qū)副高電流區(qū)都很好， 且 電流小．限制電壓比低；
2．小型，且具有很大舶浪涌電流耐量(5000A，，~112以上)；
3．壓敏電壓的溫度特性?。?
在外形上，除用樹脂色封的圄盤形外，{至有單元片式和弗層片齏 多層片式可在與
齊納二極管相競爭的領(lǐng)域內(nèi)使用．怛由于目前贄格偏高，其應用受到一定疆潮
二 高窖量壓敏電阻f srT i03燕壓敏電阻)
這種壓敏電阻是在Sr'Yl∞ 中添加半導體化荊}jb善o5和稀土氧化物． 然后再加m檄量
的其它雜質(zhì)所構(gòu)成。境緒是在強啄氣氛中進行．而后在空氣中再趺氧化，形成作為高陽
層的壓敏層。也有采用涂敷、 教其笆氧 化物，實現(xiàn)晶界高阻化的方注?？傊M柑和利
造方法近似半導體電容器 所 舟電常數(shù)走，約齬氧化辭壓敏電阻的1 0恃 姆此伴隨著
呈現(xiàn)出壓敏電阻特性的同時．也顯示出所謂電容器功能的特征 同氧化鋅若敏電阻相比
SrTiti3壓敏電阻的能量耐量小 非線性差．筋雌育漏電流大、限制電壓高柏 點 實際
上 除非苛封的使用條件卦 在使用上也無 萄、乩抑稍噪音和菲雷電容器功能這一點
來說遼是非常有鼓的。
三
． 壓敏電壓舳謎揮和壓敏電阻韻噪音敷啦披果
壓敏電阻在慨電壓領(lǐng)城起刮絕緣體的作用，麗在商電壓螄城則起剜半導體的怍硐。
作為標稱的匿敏電匪通常是指當疏過眶敏電阻對，其兩端的氨匪，矧V 喪 ( §幔下
的小型元件用V．Im矗表示)， 漏電 疏通常是用施匐uO． 壓敢電壓(直流電艇)對的電漬值來
表示。另外如從外部植入演桶電鹺時 為了1桀護其它設(shè)備，露把電鹺限輔在珊定電匿以
下。詼電壓破稱為限制電壓 漏電德翻限利電莊嬗在實際礁剖中就威為選擇壓敏電蛆朝
壓敏電壓的依據(jù)．
圖2上承出的是直徑，j、于0 j的匿敏電咀的溻電流與壓敏電晤的甕系(姐t 8V稚直譴電
壓) 固3上示出的是限制電壓與壓鍛電壓的關(guān)系(加以400V． 膿沖被蟛為B。 u s r的
電壓)
從上述關(guān)系可看出．壓敏電壓越高 漏電流強攜，』、．但限翩電壓卻增大 該刪蟹：鞋
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瓷通訊 一九丸0年 jI【二期
電壓都縣有一定的沮度特性。因此，考慮剜設(shè)
0
特性值在產(chǎn)品樣本上基本相同．但在詳細的性
使用時，必頒予以考慮
比較，前者在電壓變化時，限割電壓幾乎無變
壓不同，限制電壓是變化的 。
離容量壓敏電阻對噪音的瞬收波形
音吸啦被形(略)
生的反電動勢 在整流子的接頭處產(chǎn)生火花．
茸E設(shè)備的噪音源 環(huán)形壓敏電阻的作用是用
純謾冬或鏝髓鍶蒜等材料村成 目前環(huán)形氍敏
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圈0 限锎電壓與蛭數(shù)電匿的關(guān)系
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磁與瓷通訊 一九丸0年 第二期
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圈4 棗容器同壓敏電陽在嚷音啦I 披形上的差異
道丹I舞s 摘自工．b-于I-廿電，{ I 89
氧化鋁—— 碳化硅晶須復合陶瓷
氧化鋁— —?；鑿秃匣薮蒷乍為高強成材牛萼 連l莉為^們所注意。日立金屬疊司已
研究出最佳制造方法。借助普通方法達到高暫度 將8 5期的氟化鋁和1 5娜碳化硅晶碾程
告后在l 2 Ic燒盛 禽度司達q 5 911．晶衙長度是獲得高密度的*罐。
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摘自《國蝦科技信息》I q 90

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