本規(guī)范規(guī)定了TEＳ1—0l2l2TT溫差電致冷組件(以下簡(jiǎn)稱(chēng)組件)的技木要求、檢驗(yàn)方法、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存。本規(guī)范適用于軍用組件TEＳ1—l2l2TT。

本規(guī)范規(guī)定了軍用徽晶玻璃基片的分類(lèi)、型號(hào)命名、規(guī)格、技木要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)細(xì)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存及基片微晶玻璃的理化性能與測(cè)試方法。本規(guī)范適用于軍用薄膜集成電路用微晶玻璃基片。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎢絲的要求，質(zhì)量保證規(guī)定，交貨準(zhǔn)備。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鉬桿、鉬絲、鉬片的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于制造電子管及特種燈等用途的鉬桿、鉬絲、鉬片：也適用于制造電光源及其他器件的鉬桿、鉬絲、鉬片。

本規(guī)范規(guī)定了軍用覆鉑鉬絲的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、檢驗(yàn)方法及交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于覆鉑鋁絲材料。

本規(guī)范規(guī)定了銀電鍍層的各項(xiàng)撅求。本規(guī)范適用于電子和電氣等產(chǎn)品用的金屬和非金屬制件上銀電鍍層。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用x射線(xiàn)熒光光譜法測(cè)量銀和銀合金鍍覆層厚度的方法。它是’一種非接觸式的無(wú)損測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于銀和銀合金鍍覆層厚度的測(cè)量，也適用于常用金屬鍍覆層厚度的測(cè)量。該方法還可同時(shí)測(cè)量出表面鍍覆層和中間層的厚度。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了銀和銀合金電鍍層的殘留鹽分測(cè)定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于銀和銀合金電鍍層的金屬和非金屬試件。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用雷達(dá)雙色指示管用Yl9熒光粉的技木要求和檢測(cè)方法.本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)制作軍用雷達(dá)雙色指示管用Yl9熒光粉。

本規(guī)范規(guī)定了電容器用鋁金屬化聚酯薄膜的分類(lèi)、術(shù)語(yǔ)和有留邊的電容器用鋁金屬化聚酯薄膜的技木要求及檢測(cè)方法。本規(guī)范適用于軍用電容器用鋁金屬化聚釀薄膜，其他電容器用鋁金屬函聚釀薄膜也可參考使用.

本規(guī)范規(guī)定了電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜的分類(lèi)，術(shù)玉器和有留邊的電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜的技木要求及檢測(cè)方法。本規(guī)范適用于軍用電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜，其他電這容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜也可參考使用。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎳帶的要求， 質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備等。本規(guī)范適用于電子器件用鎳帶。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎳棒、鎳絲的要求，質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于電子器件用鎳棒、鎳絲。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了設(shè)計(jì)生產(chǎn)的設(shè)備在電源時(shí)序和控制方面能兼容的電源控制接口，其中包括電源控制接n線(xiàn)和可選的緊急斷電特儉的定義和描述.本標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用計(jì)算機(jī)與外圍設(shè)備.

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了信息技木設(shè)備靜電放電敏感度極限值和試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在一般工作環(huán)境中工作的信息技木設(shè)備。

本規(guī)范規(guī)定更對(duì)射頻(RF)輻射吸收體(微波吸收材料)的要求，質(zhì)量保證，交貨準(zhǔn)備。微波吸收材料在以下簡(jiǎn)稱(chēng)為RAＭ。本規(guī)范適用于電子行業(yè)制造和使用的微波吸收材料。

本指導(dǎo)性技木文件規(guī)定了抑制電源傳導(dǎo)干擾和輻射干擾的方法。本指導(dǎo)性技木文件適用于電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)，旨在降低電源的傳導(dǎo)和輻射干擾。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。?

本標(biāo)準(zhǔn)適用適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。?

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路JT54LS283型LS-TTL4位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件)的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ8086型微處理器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了探測(cè)劑量率為0.02~0.12cGy/h的Y射線(xiàn)及100~1800脫變數(shù)/分·厘米的β射線(xiàn)計(jì)數(shù)管（簡(jiǎn)稱(chēng)計(jì)數(shù)管）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了SF—1213型硫化銻視象管的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了3DK12B~F型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK36B~H型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK37B~H型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每秒器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了~G型功率開(kāi)關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按G1FB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。