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硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 6617-2009
替代情況： 替代 GB/T 6617-1995
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2013年05月06日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測(cè)量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測(cè)量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
 

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