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微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 42897-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位： 深圳市美思先端電子有限公司、無錫韋感半導(dǎo)體有限公司、廣州奧松電子股份有限公司等
發(fā)布日期： 2023-08-06
實(shí)施日期： 2023-12-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年09月24日
內(nèi)容摘要

本文件描述了硅基MEMS加工過程中所涉及的納米厚度膜軸向抗拉強(qiáng)度原位試驗(yàn)的要求和試驗(yàn)方法。
本文件適用于采用微電子工藝制造的納米厚度膜抗拉強(qiáng)度測試。

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