本標準采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主、受主雜質濃度。測得的施主、受主雜質濃度可以用來計算按一定的目標電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量,也可以用來推算非摻雜硅棒的電阻率。
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