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硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法

標 準 號: GB/T 14146-2009
替代情況: 替代 GB/T 14146-1993
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位: 南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質量監(jiān)督檢驗中心
發(fā)布日期: 2009-10-30
實施日期: 2010-06-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2016年02月16日
內容摘要

本標準規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。
本標準適用于同質的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。
本標準測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡層的深度。
本標準也可適用于硅拋光片的載流子濃度測量。
 

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