本標準規(guī)定了用原子力顯微鏡測試氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的方法。
本標準適用于化學氣相沉積及其他方法生長制備的表面粗糙度小于10nm 的氮化鎵單晶襯底。其他具有相似表面結(jié)構(gòu)的半導體單晶襯底應(yīng)用本標準提供的方法進行測試前,需經(jīng)測試雙方協(xié)商達成一致。