1.1 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用全反射X光熒光光譜定量測(cè)定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片、外延片(以下稱(chēng)硅片)尤其適用于硅片清洗后自然氧化層或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定測(cè)定范圍為109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于其他半導(dǎo)體材料如砷化鎵、碳化硅、SOI等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測(cè)定。
1.2 對(duì)良好的鏡面拋光表面可探測(cè)深度約5nm分析深度隨表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可檢測(cè)元素周期表中原子序數(shù)16(S)~92(U)的元素尤其適用于測(cè)定以下元素：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。
1.4 本方法的檢測(cè)限取決于原子序數(shù)、激勵(lì)能、激勵(lì)X射線(xiàn)的光通量、設(shè)備的本底積分時(shí)間以及空白值。對(duì)恒定的設(shè)備參數(shù)無(wú)干擾檢測(cè)限是元素原子序數(shù)的函數(shù)其變化超過(guò)兩個(gè)數(shù)量級(jí)。重復(fù)性和檢測(cè)限的關(guān)系見(jiàn)附錄A。
1.5 本方法是非破壞性的是對(duì)其他測(cè)試方法的補(bǔ)充與不同表面金屬測(cè)試方法的比較及校準(zhǔn)樣品的標(biāo)定參見(jiàn)附錄B。