本標準規(guī)定的測量方法適用于非本征半導體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對鍺、硅、砷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達104Ω·cm