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碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 41765-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司
發(fā)布日期： 2022-10-12
實(shí)施日期： 2023-05-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年05月30日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法。
本文件適用于晶面偏離面、偏向<11?2 0>方向0°～8°的碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試。

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