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多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質(zhì)譜法

標 準 號: GB/T 33236-2016
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
發(fā)布日期: 2016-12-13
實施日期: 2017-11-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2017年05月03日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜(GD?MS)法測量多晶硅中雜質(zhì)元素的測試方法。?本標準適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測定,測量范圍是本方法的檢出限至0.1%(質(zhì)量分數(shù)),檢出限根據(jù)所用儀器及測量條件確定。通過合適的標準樣品校正,也可以測量質(zhì)量分數(shù)大于0.1%的雜質(zhì)元素含量。單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標準測量。

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