本文件描述了用透射電子顯微鏡/掃描透射電子顯微鏡測(cè)定薄晶體試樣厚度的會(huì)聚束電子衍射方法。本文件適用于測(cè)定線度為幾十納米至幾百微米、厚度在幾十納米至幾百納米范圍內(nèi)的薄晶體試樣厚度。注： 由于透射電子顯微鏡薄試樣的厚度往往不均勻，用會(huì)聚束衍射方法測(cè)定的是試樣被電子束照明區(qū)的局域厚度。