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碳化硅單晶中痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： YS/T 1600-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 國合通用測(cè)試評(píng)價(jià)認(rèn)證股份公司 等
發(fā)布日期： 2023-04-21
實(shí)施日期： 2023-11-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2024年10月07日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了碳化硅單晶中雜質(zhì)元素含量的輝光放電質(zhì)譜測(cè)定方法。
本文件適用于碳化硅單晶中雜質(zhì)元素含量的測(cè)定。

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